产品介绍
面向太赫兹辐射功率测量、宽带成像与高分辨率频谱接收的低温探测解决方案。
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华太极光 HEB 太赫兹探测系统以超导薄膜热电子测辐射热计为核心敏感单元。入射辐射经天线、喇叭或光学组件耦合进入低温真空腔体，使电子系统温度发生变化，并转化为可读取的电学响应。系统采用 GM 闭循环制冷平台，将 HEB 芯片及封装模块稳定工作于 2.7–4 K 温区，无需持续补充液氦，适合科研实验、工程验证与系统集成。
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01
太赫兹信号耦合
天线 / 喇叭 / 光学窗口
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02
低温探测
HEB 芯片及封装位于冷端
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03
GM 闭循环制冷
真空腔体与稳定低温环境
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04
信号读出
电压响应或中频输出
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产品特点
■ GM 闭循环制冷
■ 2.7–4 K 工作温区
■ 直接检测 / 外差接收
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01 无需液氦持续补充 采用 GM 闭循环制冷，为器件提供稳定的 2.7–4 K 工作环境，降低日常运行和维护负担。 |
02 直接与外差双路线 同一产品体系可面向总功率探测与高分辨率频谱接收，覆盖不同科研和系统应用需求。 |
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03 快速响应 直接检测达到微秒级响应；外差方案达到纳秒级响应，适配快速变化信号和高速测量。 |
04 模块化集成 支持焦点汇聚或平行光入射，可按目标频段配置天线、喇叭、滤波器和电学接口。 |
两种工作模式
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类型 A｜直接检测 HEB 直接测量入射辐射引起的器件电学响应，用于获得辐射总功率。系统结构相对简洁，适合宽带功率测量、成像及快速响应场景。 ■ 典型响应时间：≤10 μs ■ zui大功率处理能力：1 mW |
类型 B｜外差检测 HEB 引入本振信号，在 HEB 器件中完成混频并输出中频信号，可保留相位和精细频谱信息，适用于高分辨率光谱、天文接收与量子信息研究。 ■ 典型响应时间：≤10 ns ■ 中频带宽可按方案配置 |
以下为当前产品材料所列典型规格。具体指标将随超导薄膜、像素设计、光学耦合、封装及读出条件变化。类型 A 与类型 B 的参数侧重点不同，以下为当前方案参数及典型配置。
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参数项目 |
类型 A｜直接检测 |
类型 B｜外差检测 |
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工作模式 |
直接检测：总功率探测 |
外差检测：本振混频与中频输出 |
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工作频率 |
太赫兹 ≥0.5 THz；可按器件与光学方案拓展至红外 / 光学 |
太赫兹 ≥0.1 THz；可按器件与光学方案拓展至红外 / 光学 |
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窄带配置 |
可结合滤波器配置，典型相对带宽 5%–10% |
可结合滤波器与本振链路配置 |
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工作温度 |
2.7–4 K |
2.7–4 K |
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像素 / 通道 |
1–4 通道 |
1–4 通道 |
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动态范围上限（3 dB 压缩点） |
接近 100 μW |
0.1 μW |
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zui大功率处理能力 |
1 mW |
50 μW |
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典型响应时间 |
≤10 μs |
≤10 ns |
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信号接口 |
50 Ω SMA |
50 Ω SMA |
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读出形式 |
电压 / 电阻响应 |
中频信号输出 |
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光学输入 |
支持焦点汇聚和平行光入射 |
支持焦点汇聚和平行光入射 |
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zui大光学口径 |
30–50 mm |
30–50 mm |
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噪声等效功率 NEP |
按器件、波段和测试条件提供 |
按器件、波段和测试条件提供 |
说明：以上参数为当前方案或典型配置，实际指标随探测材料、工作波段、光学耦合、本振及读出链路而变化，zui终以具体技术协议和测试报告为准。
